Usmerniki SiC

Schottky-jeve hitro diode s strukturiranim silicijevim karbidom STMicroelectronics

STMicroelectronics "strukturirano Schottky-jeve diode s strukturo silicijevega karbida omogoča oblikovalcem doseganje višje stopnje učinkovitosti in gostote moči. Pokrivajo trenutne nazivne vrednosti od 2 A do 40 A, družine diod SiC s 650 V in 1200 V SiC vključujejo industrijsko namenjene in avtomobilsko ustrezne naprave AEC-Q101 v površinsko pritrjenih DPAK HV (visokonapetostnih) in D²PAK ali luknja za pakete TO-220AC in TO-247LL (dolgo vodi).

Razpon ST-jevih 1200 V silicijevo-karbidnih (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) diod ustreza potrebam oblikovalcev po vrhunski učinkovitosti, majhni teži, majhnosti in izboljšanih toplotnih lastnostih za aplikacije, usmerjene v zmogljivosti.

Ponuja odlično napetost naprej (nizka V)_F) in najsodobnejšo robustnost, 1200-litrske SiC diode ST zagotavljajo dodatno svobodo za doseganje visoke učinkovitosti in zanesljivosti z nižjo vrednostjo toka in s tem nižjo ceno, hkrati pa znižujejo obratovalno temperaturo in podaljšajo življenjsko dobo aplikacije. Zagotavljajo popolno prileganje v vsak pretvornik in pretvornik, kjer sta potrebna izjemna gostota in učinkovitost moči, kot so SMPS, UPS, sončni in motorni pogon.

Pokriva trenutne nazivne vrednosti - od 2 A do 40 A, ST-jeva družina SiC diode s 1200 V vključuje industrijsko in avtomobilsko opremljene naprave AEC-Q101 v površinsko pritrjenih DPAK HV (visokonapetostnih) in D²PAK ali TO skozi odprtino -220AC in TO-247LL (long-lead) paketi.

ST-jev 1200 V SiC omogoča doseganje visokih standardov in majhnega faktorja.